产品展示 > LED驱动 > 士兰微电子(SL) > MOS管 > STSP60R070P7S1
STSP60R070P7S1
SVFP7N65CD(MJ)
SVFQ7N80S
SVF14N65AT
SVF12N65AT
SVF28N50PN
SVF13N50CF(T)
SVF12N65CFJH
SVF18N65EFJH
SVF20N60F
SVF20N65F
SVF4N80AMJ
SVF1N50B
SVF1N60AM(MJ)(B)(D)(F)
SVF1N65MJ
SVF2N60EF(M)
SVF2N60RD(M)(MJ)
SVF2N80F(D)(NF)(M)
SVF3N50CD(MJ)
SVF3N60AF
SVSP60R080F(T)D3
SGT30T60SD3P7
SVSP35NF65P7D3
SVS5N105FD2
SGT30T60SD3P7
SVS11N65FJHE2
SVS11NF60DD2
SVSP60R080F(T)D3
SVSP11N70FJDD2
SVSP7N65FJDE2
SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3
STSP60R028P7S1
STSP60R030P7HS1
STSP60R070P7S1
STSP60R070P7S1
超结MOS功率管
STSP60R070P7S1 N 沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，STSP60R070P7S1应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
主要特点
47A,600V, RDS(on)(typ.)=55mW@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
